本文摘要:三星大学工厂希望从2019年开始在18FDS上开始危险生产,因此HVM迁移2020。特别重要的是,18FDS反对RF和eMRAM,使三星大学工厂能够满足2020年以后5G时代RF和嵌入式存储的各种应用市场需求。

三星

FD-SOI技术将成为全球Foundries的22FDX和12FDX产品的强大竞争对手。三星大学工厂希望从2019年开始在18FDS上开始危险生产,因此HVM迁移2020。

该技术使用与三星14LPE/14LPP完全相同的BEOL点对点(即原来为20纳米平面工艺开发的BEOL),但使用新的晶体管和FEOL。三星承诺,与28FDS相比,18FDS将提高20%的性能(在同样的复杂和电力下),40%的电力(在同样的频率和复杂下),30%的芯片面积。特别重要的是,18FDS反对RF和eMRAM,使三星大学工厂能够满足2020年以后5G时代RF和嵌入式存储的各种应用市场需求。

3D系统级PCB在2019年获得芯片PCB技术成为最近最重要的。因为将所有部件构建成单个处理器更困难,更便宜。三星(与台积电和GlobalFoundries一样)已经获得了很多针对移动SoC的FOPLP-PoP和HBM2 DRAM芯片的I-Cube(2.5D)等简单产品的PCB解决方案。

三星明年必须确保3D SiP(系统级PCB)解决方案,将各种零部件PCB放入小尺寸的3D PCB中。三星大学工厂的3D SiP将成为业界首批用作异构3D SiP的技术之一(目前所有SiP都是2D)。通过PCB解决方案,半导体合同制造商需要几乎不同工艺技术生产中使用的组件组装SiP。

但是三星的大厂最近经常发生死亡事故。“三星韩国芯片工厂二氧化碳泄漏导致1岁2相,为什么会发生事故?”请参阅。

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